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◆ 納米粒度及電位分析儀相關(guān)技術(shù) ◆


動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)

動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)DLS,又稱作光子相關(guān)光譜PCS或者準(zhǔn)彈性光散射。該技術(shù)檢測(cè)由于顆粒布朗運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的散射光的波動(dòng)隨時(shí)間的變化。其中小顆粒造成的散射光信號(hào)波動(dòng)較快,大顆粒造成的散射光信號(hào)波動(dòng)較慢。APD檢測(cè)器將散射光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),再通過(guò)數(shù)字相關(guān)器的運(yùn)算處理,得到顆粒在溶液中擴(kuò)散的速度信息,即擴(kuò)散系數(shù)D。通過(guò)Stokes-Einstein方程可以得到顆粒、大分子的尺寸,即流體力學(xué)直徑DH及其分布。

圖片 1.



BeNano智能尋找檢測(cè)點(diǎn)位置的背向動(dòng)態(tài)散射技術(shù)


圖片 11.

通過(guò)透鏡的移動(dòng)可以實(shí)現(xiàn)將檢測(cè)點(diǎn)在樣品池中央到邊緣任意位置的移動(dòng)設(shè)置。可以最大程度上兼顧不同種類(lèi)、不同濃度樣品的檢測(cè)需求。在實(shí)際檢測(cè)過(guò)程中,根據(jù)樣品濃度、大小、散射能力,對(duì)于每個(gè)特定樣品確認(rèn)其檢測(cè)位置和激光的強(qiáng)度,以達(dá)到測(cè)試條件和測(cè)試準(zhǔn)確性。


作用:

● 高濃度樣品粒徑測(cè)試

 


毛細(xì)管粒徑池

微量樣品檢測(cè)的需求一直存在,尤其是對(duì)于樣品極為珍貴的生物制藥領(lǐng)域,目前的低容量樣品池具有加樣容易產(chǎn)生氣泡,清洗困難,成本較高等等問(wèn)題。BeNano-系列納米粒度電位儀使用了一種新穎的毛細(xì)管檢測(cè)技術(shù),具有樣品量更低(僅需3-5μL)樣品,加樣方便,清洗便捷,成本低廉,能有效防止大顆粒沉降等特點(diǎn),為具有極微量樣品測(cè)試需求的用戶提供了現(xiàn)實(shí)可行的解決方案。


作用:

● 極微量樣品測(cè)試

● 大顆粒樣品測(cè)試




電泳光散射技術(shù)

分散在液體中的顆粒往往在表面攜帶一定量電荷,這些電荷會(huì)使顆粒在溶液中形成一個(gè)超過(guò)顆粒表面界限的雙電層。顆粒的電勢(shì)在顆粒的表面最大,稱作表面電位(surface potential),在嚴(yán)密電位層的電位稱作嚴(yán)密層電位(Stern potential),在顆粒的滑移層的位置的電勢(shì)值稱作Zeta電位。顆粒的Zeta電位與顆粒之間的相互作用力息息相關(guān),較高的Zeta電位有利于防止顆粒團(tuán)聚,維持體系的穩(wěn)定性。

電泳光散射ELS技術(shù)是一種光學(xué)的測(cè)試技術(shù),通過(guò)檢測(cè)顆粒電泳運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的散射光的多普勒頻移,進(jìn)而分析原始的光學(xué)信號(hào)得到顆粒的電泳速度信息,由亨利方程建立起的顆粒電泳速度和Zeta電位的關(guān)系最終得到顆粒在當(dāng)前體系中Zeta電位和Zeta電位分布信息。

 

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相位分析光散射

傳統(tǒng)的電泳光散射技術(shù)ELS是通過(guò)相關(guān)器處理得到的樣品拍頻信號(hào),進(jìn)而計(jì)算散射光的頻率差Δf ,丹東百特儀器公司在傳統(tǒng)電泳光散射技術(shù)的基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)出了全新的用于檢測(cè)顆粒Zeta電位的相位分析光散射技術(shù)PALS,可以通過(guò)一個(gè)測(cè)試同時(shí)得到Zeta電位的平均值和分布值信息。

BeNano相位分析光散射技術(shù),是通過(guò)解析原始信號(hào)的相位Φ信息從而得到散射光的頻率信息,相位隨時(shí)間的變化dΦ/dt正比于頻率變化Δf。相位分析光散射技術(shù)可以極大程度的降低顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)等等因素對(duì)于測(cè)試結(jié)果的影響,從而得到更高的統(tǒng)計(jì)學(xué)精度。從應(yīng)用角度而言通過(guò)PALS技術(shù)可以有效檢測(cè)等電點(diǎn)附近,高鹽濃度下極慢電泳速度的顆粒的Zeta電位信息。


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         作用:

         ●低電泳遷移率樣品測(cè)試

         ●高鹽濃度樣品Zeta電位測(cè)試

         ●電中點(diǎn)附近樣品Zeta電位測(cè)試

 






可拋棄毛細(xì)管電極和插入式電極

1BeNano采用毛細(xì)管電極和插入電極進(jìn)行Zeta電位測(cè)試,其中:

●毛細(xì)管電極的電極距離 5cm,避免對(duì)樣品加熱,電場(chǎng)更均勻,可避免交叉污染,適合高極性體系。樣品池僅4mm厚度,最高可檢測(cè) 40%濃度樣品,可拋棄,節(jié)約使用成本。

●插入式電極適合有機(jī)相樣品使用




分子量的測(cè)量

靜態(tài)光散射技術(shù)SLS,檢測(cè)顆粒、大分子物質(zhì)的平均散射光強(qiáng),通過(guò)瑞利散射方程將散射光強(qiáng)與大分子物質(zhì)的絕對(duì)分子質(zhì)量和第二維利系數(shù)A2等信息聯(lián)系起來(lái)。

QQ圖片20211026084450.

其中c為樣品的濃度,θ為測(cè)量的角度(散射角),Rθ 為θ角方向的瑞利散射比,Mw 為重均分子量,A2 為第二維利系數(shù),K為與(dn/dc)2相關(guān)的常數(shù)。

1

使用BeNano進(jìn)行測(cè)試,在檢測(cè)過(guò)程中,配制一系列不同濃度的溶液,分別檢測(cè)其散射光強(qiáng),并轉(zhuǎn)化為不同散射光強(qiáng)下的瑞利比,通過(guò)以Kc/Rθ對(duì)濃度外推的Debye曲線,得到分子量和代表分子間相互作用的A2信息。


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